二氧化硅
化学符号:SiO2
分 子 量:60.08
外 观:透明晶体
熔点:1700℃
沸点:2230℃
密 度:2.2-2.7g/cm3
蒸发温度:1800~2200℃,
蒸发源:电子枪
透明范围/nm:200~8000
折射率(波长.nm):n=1.46(500)
n=1.445(1600)
性 能:可用钽舟加热蒸发,也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发,但由电阻加热蒸发会产生分解,由电子束加热蒸发效果很好。
应 用:二氧化硅用途广泛,主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。
分析报告:(99.99%)in ppm
Fe<16 Pb<10 Ai<15 Cu<3 Zn<18 Mn<5 Gr<10 Mg<11 Ti<8 Ni<12
介绍:
SiO2薄膜具有介电性能稳定、介质损耗小、耐潮性好、温度系数小、呈现压应力,其具有良好的化学稳定性,机械性能极为牢固,无吸湿性等优点。在混合集成电流中,SiO2薄膜广泛应用于做薄膜电容器、薄膜电阻器和电阻网络保护层、多层布线的绝缘层、扩散掩埋层、注射离子阻挡层等。
非晶的SiO2薄膜介电常数为3.9,禁带宽度约为9eV(300K),热导率为1.4W/(m.K),热扩散率为0.004cm2/s,线膨胀系数为5×10-7K-1,耐压强度为(6~9)×10-6V/cm,电子亲和力为1.0eV。
SiO2薄膜损耗小,介电常数低,常用来制作10~500pF范围的薄膜电容器。利用SiO2薄膜的绝缘性,SiO2可做各种钝化层,多层的绝缘层,掺杂的SiO2膜常用来做多晶硅栅与金属导线之间的绝缘层,可作固态-固态扩散层。 |